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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC6011

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-: V(BR)CEO=200V(Min)-2SC6011 ​​​​​​​=200V(Min)-2SC6011A •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SA2151/A •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableope

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC6011

AudioAmplificationTransistor

Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,theseNPNpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit

Allegro

Allegro MicroSystems

Allegro
2SC6011

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min) •GoodLinearityof(IFE •ComplementtoType2SA2151 APPLICATIONS •Designedforaudioandgeneralpurposeapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2SC6011

AudioAmplificationTransistor

Description ByadaptingtheSankenuniquewafer-thinnertechnique,theseNPNpowertransistorsachievepower-upbydecreasingthermalresistance,andprovidehighervoltageavalanchebreakdownrating.Thehighpower-handlingcapacityoftheTO-3Ppackageallowsasmallerfootprintonthecircuit

SankenSanken Electric Co Ltd.

三垦日本三垦

Sanken
2SC6011A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-: V(BR)CEO=200V(Min)-2SC6011 ​​​​​​​=200V(Min)-2SC6011A •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SA2151/A •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableope

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SC6011A-Y供应商更多...

更新时间：2024-5-10 17:27:01
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