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2SB1151	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) Complementaryto2SD1691.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SB1151	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SD1691 ·Lowsaturationvoltage ·Largecurrent ·Hightotalpowerdissipation:PT=1.3W ·LargecurrentcapabilityandwideSOA APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·Driverofsolenoidormotor	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
2SB1151	Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications. DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
2SB1151	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT 文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151L-T60-T	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT FEATURES HighPowerDissipation:PD=1.5W(Ta=25℃) Complementaryto2SD1691.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151L-X-AA3-R	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT 文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151L-X-T60-K	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT 文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1151L-X-TN3-R	LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT 文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

2SB1151L产品属性

类型
描述
型号
2SB1151L
制造商
NEC
制造商全称
NEC
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126

2SB1151L供应商更多...

更新时间：2024-5-11 14:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-3-14
2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2023-2-1
2SA812-T1B-A/S6 原装正品现货
支持实单价格优势有单必成
2022-3-30
2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
2021-9-10
2SA2198
2SA2198，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-24
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P:PNP硅外延晶体管的特点如下：·低集电极饱和电压·Execllent电流增益特性·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息）·环氧符合UL94V-0阻燃等级·Moisure敏感度等级12SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9

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