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2SA1020-TA	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SA1020-TA	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features Powermplifierpplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SA1020	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications •LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.5V(max)(IC=−1A) •Highcollectorpowerdissipation:PC=900mW •High-speedswitching:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC2655	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SA1020	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SA1020isdesignedforpoweramplifierandpowerswitchingapplications. FEATURES Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(SAT)=-0.5V(MAX)(IC=-1A) Highspeedswitchingtime:tSTG=1.0μs(TYP) *ComplementtoUTC2SC2655	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SA1020	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SA1020	OneWattHighCurrentPNPTransistorVOLTAGEANDCURRENTARENEGATIVEFORPNPTRANSISTORS OneWattHighCurrentPNPTransistor Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SA1020	TO-92MODPlastic-EncapsulatedTransistors 文件：61.7 Kbytes Page：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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更新时间：2024-5-30 19:00:00

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2SA1015-Y-AP（原厂授权中国分销商）
主要参数：分立半导体产品电流-集电极（Ic）（最大值）：150mA 电压-集射极击穿（最大值）：50V 电流（最大值）：100nA（ICBO） DC电流增益（hFE）（最小值）：120 功率-最大值：400MW 频率-跃迁：80MHz 工作温度：-55°C~125°C 安装类型：通孔封装：TO-226-3，TO-92-3
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