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25A,100V,0.070Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFET

Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothN-ChannelandP-Channelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
更新时间:2024-5-24 9:48:03
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