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2N6659-E3

2N6659-E3

STMicroelectronics

STMicroelectronics

 

2N6659-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N6659-E3

  • 功能描述

    MOSFET 35V 1.8 Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 17:33:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay
2023+
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
SUPERTEX
2017+
TO-39
18700
原装进口现货特价热卖深圳北京均可交货
SSI
20+
TO-39
90000
全新原装正品/库存充足
Vishay
2003
TO-39
895
原装现货海量库存欢迎咨询
VIS/SIL
23+
CAN3
5000
原装正品,假一罚十
MOT
02+
CAN
1541
VISHAY
18+
CAN
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
SUPERTEX
18+
TO-39
35334
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票
VISHAY
23+
TO39()
7635
全新原装优势
SILICONI
16+
CAN3
2000
原装现货假一罚十

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