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NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseaslownoise,highgain,generalpurposeamplifiersrequiringcollectorcurrentsto50mA.SourcedfromProcess07.See2N5088forcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5961SeriestypesareEpoxyMoldedSiliconNPNTransistorsmanufacturedbytheepitaxialPlanarProcessdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighgain(hFE)andlownoise.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

NPNGeneralPurposeAmplifier

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2N5962_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5962_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-15 16:46:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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