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2N5631晶体管资料

  • 2N5631别名：2N5631三极管、2N5631晶体管、2N5631晶体三极管

  • 2N5631生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_美国硅晶体技术公司_美国晶

  • 2N5631制作材料：Si-NPN

  • 2N5631性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 2N5631封装形式：直插封装

  • 2N5631极限工作电压：140V

  • 2N5631最大电流允许值：16A

  • 2N5631最大工作频率：>1MHZ

  • 2N5631引脚数：2

  • 2N5631最大耗散功率：200W

  • 2N5631放大倍数：

  • 2N5631图片代号：E-44

  • 2N5631vtest：140

  • 2N5631htest：1000100

  • 2N5631atest：16

  • 2N5631wtest：200

  • 2N5631代换 2N5631用什么型号代替：BDX50,BDY58,BDY77,MJ15015,2N3773,2N6259,2SC2608,3DD73E,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N5631

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

High-Voltage-HighPowerTransistors ...designedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. •HighCollectorEmitterSustainingVoltage–VCEO(sus)=140Vdc •HighDCCurrentGain–@IC=8.0AdchFE=15(Min) •LowCollector–Emitte

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N5631

PowerTransistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2N5631

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6031 •Highcollector-emittersustainingvoltage •HighDCcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS •Forhighpoweraudioamplifierandhighvoltageswitchingregulatorcircuitsapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N5631

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6031 •Highcollector-emittersustainingvoltage •HighDCcurrentgain@IC=8A •Lowcollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS •Forhighpoweraudioamplifierandhighvoltageswitchingregulatorcircuitsapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2N5631

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION •WithTO-3package •Complementtotype2N6031 •Highcollector-emittersustainingvoltage •HighDCcurrentgain@IC=8A •Lowcollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS •Forhighpoweraudioamplifierandhighvoltageswitchingregulatorcircuitsapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N5631

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

HIGH-VOLTAGE-HIGHPOWERTRANSISTORS 16AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON 100-120-140VOLTS200WATTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N5631

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：散装 描述：POWER BJT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N5631

SiliconNPNPowerTransistors

文件：105.1 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC
2N5631

SiliconNPNPowerTransistors

文件：113.82 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
2N5631_15

SiliconNPNPowerTransistors

文件：105.1 Kbytes Page：3 Pages

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

泉州锦美泉州锦美电子有限公司

JMNIC

2N5631产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5631

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 16A 140V 200W NPN

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2N5631供应商更多...

更新时间：2024-5-30 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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