型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

AmplifierTransistor(PNPSilicon)

PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-BaseVoltage:VCEO=120V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???

PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications

SEMTECH

Semtech Corporation

SEMTECH

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-130V,VCEO=-120V •LowLeakageCurrent. :ICBO=-100nA(Max.)@VCB=-100V •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued)

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N5400_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N5400_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-15 20:19:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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