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2N4918晶体管资料
2N4918别名：2N4918三极管、2N4918晶体管、2N4918晶体三极管
2N4918生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司_美国国民半导体公司_德国电
2N4918制作材料：Si-PNP
2N4918性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2N4918封装形式：直插封装
2N4918极限工作电压：40V
2N4918最大电流允许值：1A
2N4918最大工作频率：>3MHZ
2N4918引脚数：3
2N4918最大耗散功率：30W
2N4918放大倍数：
2N4918图片代号：B-21
2N4918vtest：40
2N4918htest：3000100
- 2N4918atest：1
2N4918wtest：30
2N4918代换 2N4918用什么型号代替：BD136,BD166,BD176,BD186,BD234,BD438,CD50A,
2N4918价格
参考价格：￥4.1913
型号：2N4918 品牌：Centralr 备注：这里有2N4918多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2N4918批发/采购报价，2N4918行情走势销售排行榜，2N4918报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2N4918 | SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N4921/4922/4923 •Excellentsafeoperatingarea •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Fordrivercircuits,switching,and amplifierapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. |  |   |
2N4918 | SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N4921,2N49222N4923 •Excellentsafeoperatingarea •Lowcollector-emittersaturationvoltage APPLICATIONS •Fordrivercircuits,switching,andamplifierapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 |  | |
2N4918 | SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Complementtotype2N4921/4922/4923 •Excellentsafeoperatingarea •Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS •Fordrivercircuits,switching,and amplifierapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2N4918 | Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors Thesemedium−power,high−performanceplasticdevicesaredesignedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable** •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0A •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruct | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
2N4918 | GENERAL.PURPOSEPOWERTRANSISTORS Thesemedium−power,high−performanceplasticdevicesaredesignedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable** •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0A •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruct | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918 | Medium-PowerPlasticPNP Thesemedium−power,high−performanceplasticdevicesaredesignedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable** •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0A •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruct | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918 | PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4918,2N4919,and2N4920areSiliconPNPExpitaxialBasePowerTransistorsdesignedforMediumpoweramplifierandswitchingapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |  | |
2N4918 | MEDIUM-POWERPLASTICPNPSILICONTRANSISTOR ...designedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Thesehigh-performanceplasticdevicesfeature: Features •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0Amp •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruction- PD=30and40W@TC= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | |
2N4918 | MEDIUM-POWERPLASTICPNPSILICONTRANSISTORS ...designedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Thesehigh-performanceplasticdevicesfeature: Features •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0Amp •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruction- PD=30and40W@TC= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | | |
2N4918 | 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 40V 1A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918 | Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors 文件：120.83 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918 | Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors 文件：203.99 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918 | SiliconPNPPowerTransistors 文件：47.23 Kbytes Page：3 Pages | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 | | |
2N4918 | SiliconPNPPowerTransistors 文件：106.51 Kbytes Page：3 Pages | SAVANTIC Savantic, Inc. | | |
Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors Thesemedium−power,high−performanceplasticdevicesaredesignedfordrivercircuits,switching,andamplifierapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable** •LowSaturationVoltage−VCE(sat)=0.6Vdc(Max)@IC=1.0A •ExcellentPowerDissipationDuetoThermopadConstruct | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors 文件：120.83 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
SiliconPNPPowerTransistors 文件：47.23 Kbytes Page：3 Pages | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司 | | | |
Medium-PowerPlasticPNPSiliconTransistors 文件：203.99 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 40V 1A TO126 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
2N4918产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N4918
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP Power
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
||||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
|||
ON |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
ON |
23+ |
TO-225AA |
7750 |
全新原装优势 |
|||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
|||
2N4918 |
15 |
15 |
|||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
97454 |
||||
ON |
2339+ |
N/A |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-225 |
1259 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
2N4918芯片相关品牌
2N4918规格书下载地址
2N4918参数引脚图相关
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- 2N490(A)
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2N3906，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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2019-7-17
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