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2N3583晶体管资料
2N3583别名:2N3583三极管、2N3583晶体管、2N3583晶体三极管
2N3583生产厂家:美国无线电公司_美国硅晶体技术公司_美国得克萨斯仪
2N3583制作材料:Si-NPN
2N3583性质:开关管 (S)_功率放大 (L)
2N3583封装形式:直插封装
2N3583极限工作电压:250V
2N3583最大电流允许值:2A
2N3583最大工作频率:>10MHZ
2N3583引脚数:3
2N3583最大耗散功率:35W
2N3583放大倍数:
2N3583图片代号:D-8
2N3583vtest:250
2N3583htest:10000100
- 2N3583atest:2
2N3583wtest:35
2N3583代换 2N3583用什么型号代替:BUX84,BUY63,TIP63,TIP75(A),TIP75(B),TIP75(C),2SC3169,2N4240,3DK206E,40850,
2N3583价格
参考价格:¥48.6798
型号:2N3583 品牌:Central 备注:这里有2N3583多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N3583批发/采购报价,2N3583行情走势销售排行榜,2N3583报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2N3583 | PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | ||
2N3583 | NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. Highvoltagepowertransistorsdesignedforindustrialandmilitaryapplications. TO-66metalcase. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | ||
2N3583 | iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ContunuousCollectorCurrent-IC=1A •PowerDissipation-PD=35W@TC=25℃ •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=5.0V(Max)@IC=1A APPLICATIONS •Designedforhigh-speedswitchingandlinearamplifierapplication forhigh-voltageoperationalamplifiers, | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
2N3583 | NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3583seriesdevicesaresiliconNPNtransistorsdesignedforhighspeedswitchingandhighvoltageamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | ||
2N3583 | POWERTRANSISTORS(35W)
| MOSPEC MOSPEC | ||
2N3583 | COMPLEMENTARYMEDIUM-POWERHIGHVOLTAGEPOWERTRANSISTORS
| bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司 | ||
2N3583 | SINPNPOWERBJT SiliconNPN,PNPPowerTransostors | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
2N3583 | SPRINGFIELD,NEWJERSEY07081 SiliconNPN,PNPPowerTransostors | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
2N3583 | GERMANIUMPNPTRANSISTORS 文件:2.44311 Mbytes Page:6 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ||
2N3583 | 封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:散装 描述:TRANS NPN 175V 0.01A TO66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司 | ||
2N3583 | NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. 文件:102.4 Kbytes Page:3 Pages | COMSET Comset Semiconductor | ||
2N3583 | 5Amp,250V,HighVoltageNPNSiliconPowerTransistors 文件:63.42 Kbytes Page:3 Pages | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | ||
2N3583 | BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66 文件:16.1 Kbytes Page:1 Pages | SEME-LAB Seme LAB | ||
2N3583 | SILICONNPNTRANSISTORS 文件:344.43 Kbytes Page:2 Pages | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | ||
封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 175V 1A TO-66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 | |||
NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. 文件:102.4 Kbytes Page:3 Pages | COMSET Comset Semiconductor | |||
SILICONNPNTRANSISTORS 文件:344.43 Kbytes Page:2 Pages | CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体 |
2N3583产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N3583
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN High Power
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
rca |
22+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
||||
SSI |
2023+ |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
||||
SSI |
21+ |
TO-3 |
46 |
原装现货假一赔十 |
|||
2000 |
20 |
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MOTOROLA |
16+ |
TO-66 |
1200 |
原装现货假一罚十 |
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SSI |
0352+ |
TO-3 |
46 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Microchip Technology |
23+ |
TO-213AA,TO-66-2 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
RCA |
23+ |
NA |
715 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
MOT |
23+ |
TO66 |
1100 |
特价库存 |
2N3583规格书下载地址
2N3583参数引脚图相关
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