2N3583晶体管资料

  • 2N3583别名:2N3583三极管、2N3583晶体管、2N3583晶体三极管

  • 2N3583生产厂家:美国无线电公司_美国硅晶体技术公司_美国得克萨斯仪

  • 2N3583制作材料:Si-NPN

  • 2N3583性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 2N3583封装形式:直插封装

  • 2N3583极限工作电压:250V

  • 2N3583最大电流允许值:2A

  • 2N3583最大工作频率:>10MHZ

  • 2N3583引脚数:3

  • 2N3583最大耗散功率:35W

  • 2N3583放大倍数

  • 2N3583图片代号:D-8

  • 2N3583vtest:250

  • 2N3583htest:10000100

  • 2N3583atest:2

  • 2N3583wtest:35

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2N3583价格

参考价格:¥48.6798

型号:2N3583 品牌:Central 备注:这里有2N3583多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N3583批发/采购报价,2N3583行情走势销售排行榜,2N3583报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2N3583

PowerTransistors

PowerTransistorsTO-66Case

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N3583

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS.

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. Highvoltagepowertransistorsdesignedforindustrialandmilitaryapplications. TO-66metalcase. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
2N3583

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •ContunuousCollectorCurrent-IC=1A •PowerDissipation-PD=35W@TC=25℃ •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=5.0V(Max)@IC=1A APPLICATIONS •Designedforhigh-speedswitchingandlinearamplifierapplication forhigh-voltageoperationalamplifiers,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2N3583

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3583seriesdevicesaresiliconNPNtransistorsdesignedforhighspeedswitchingandhighvoltageamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
2N3583

POWERTRANSISTORS(35W)

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
2N3583

COMPLEMENTARYMEDIUM-POWERHIGHVOLTAGEPOWERTRANSISTORS

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca
2N3583

SINPNPOWERBJT

SiliconNPN,PNPPowerTransostors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N3583

SPRINGFIELD,NEWJERSEY07081

SiliconNPN,PNPPowerTransostors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
2N3583

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes Page:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1
2N3583

封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:散装 描述:TRANS NPN 175V 0.01A TO66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
2N3583

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS.

文件:102.4 Kbytes Page:3 Pages

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
2N3583

5Amp,250V,HighVoltageNPNSiliconPowerTransistors

文件:63.42 Kbytes Page:3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
2N3583

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66

文件:16.1 Kbytes Page:1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
2N3583

SILICONNPNTRANSISTORS

文件:344.43 Kbytes Page:2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

封装/外壳:TO-213AA,TO-66-2 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 175V 1A TO-66 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS.

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COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

SILICONNPNTRANSISTORS

文件:344.43 Kbytes Page:2 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N3583产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N3583

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-11 8:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
rca
22+
500000
行业低价,代理渠道
SSI
2023+
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
SSI
21+
TO-3
46
原装现货假一赔十
2000
20
MOTOROLA
16+
TO-66
1200
原装现货假一罚十
SSI
0352+
TO-3
46
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Microchip Technology
23+
TO-213AA,TO-66-2
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ON
1738+
TO-92
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
RCA
23+
NA
715
专做原装正品,假一罚百!
MOT
23+
TO66
1100
特价库存

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