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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) •LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

ProductScoutAutomotive

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

StarMOSTPowerMOSFET

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Good-Ark

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更新时间:2024-4-28 17:31:01
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RENESAS
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