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45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETs andbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlos

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

High-SpeedIGBTfor20-50kHzSwitching

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IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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更新时间:2024-6-3 14:08:01
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