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1PMT5925BT1G	3.2WattPlasticSurfaceMountPOWERMITEPackage 文件：62.91 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1PMT5925BT1G	封装/外壳：DO-216AA 包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1PMT5925BT1	3.2WattPlasticSurfaceMountPOWERMITEPackage PLASTICSURFACEMOUNT3.2WATTZENERDIODES6.2−47VOLTS Thiscompletenewlineof3.2WattZenerDiodesareofferedinhighlyefficientmicrominiature,spacesavingsurfacemountwithitsuniqueheatsinkdesign.ThePOWERMITEpackagehasthesamethermalperformanceastheSMAwhilebeing50	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1PMT5925BT1	3.2WattPlasticSurfaceMountPOWERMITEPackage 文件：62.91 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

1PMT5925BT1G产品属性

类型
描述
型号
1PMT5925BT1G
功能描述
DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
系列
-
标准包装
1
系列
- 电压 -
齐纳（标称）(Vz)
36V 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）
900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr
时反向漏电
100nA @ 27V
容差
±5% 功率 -
最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
剪切带(CT)
工作温度
-65°C ~ 150°C
产品目录页面
1585(CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1PMT5925BT1G供应商更多...

更新时间：2024-5-21 10:26:00

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