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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N829AUR

6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR

TCZenerReferenceDiodeSeries

文件：844.3 Kbytes Page：4 Pages

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

MA-COM
1N829AUR

封装/外壳：DO-213AA（玻璃） 包装：散装 描述：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829

TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,400mW

Temperature-CompensatedZenerReferenceDiodes Temperature-compensatedzenerreferencediodesutilizingasinglechipoxidepassivatedjunctionforlong-termvoltagestability.Arugged,glass-enclosed,hermeticallysealedstructure. TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,4

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
1N829

TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,400mW

Temperature-CompensatedZenerReferenceDiodes Temperature-compensatedzenerreferencediodesutilizingasinglechipoxidepassivatedjunctionforlong-termvoltagestability.Arugged,glass-enclosed,hermeticallysealedstructure. TEMPERATURECOMPENSATEDSILICONZENERREFERENCEDIODES6.2V,4

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
1N829

Voltagereferencediodes

DESCRIPTION Voltagereferencediodeinahermetically-sealedSOD68(DO-34)glasspackage. FEATURES •Temperaturecompensated •Referencevoltagerange:5.89to6.51V(typ.6.20V) •Lowtemperaturecoefficientrange:max.0.0005to0.01/K. APPLICATION •Voltagereferencesourcesinmeasur

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
1N829

TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES

•1N821UR-1,1N823UR-1,1N825UR-1,1N827UR-1AND1N829UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/159 •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •6.2AND6.55VOLTNOMINALZENERVOLTAGES •METALLURGICALLYBONDED,DOUBLEPLUGCONSTRU

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE
1N829

6.2&6.55VOLTTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR-1TR

6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AURTR

6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AURTR-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensatedSurfaceMountZenerReferenceDiodes

DESCRIPTION Thepopular1N821thru1N829seriesofZero-TCReferenceDiodesprovidesaselectionofboth6.2Vand6.55Vnominalvoltagesandtemperaturecoefficientstoaslowas0.0005/oCforminimalvoltagechangewithtemperaturewhenoperatedat7.5mA.Theseglassaxial-leadedDO-7referen

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

文件：238.31 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR-1/TR

封装/外壳：DO-213AA（玻璃） 包装：散装 描述：DIODE ZENER TEMP COMPENSATED 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N829AUR-1-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

文件：238.31 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AUR-1-2

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AURTR-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

文件：238.31 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AURTR-1-1

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

文件：238.31 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N829AURTR-1-2

6.2&6.55VoltTemperatureCompensated6.2&6.55VoltTemperatureCompensated

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N829AUR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N829AUR

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-213AA

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更新时间：2024-6-2 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
标准国际(香港)有限公司
1N831
MA
N/L
139
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深圳市惊羽科技有限公司
1N829AUR
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1N829AUR
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