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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5711CSM

SCHOTTKYDIODEINHERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS

SCHOTTKYDIODEINHERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
1N5711CSM

SCHOTTKYBARRIERDIODE

SCHOTTKYDIODEINHERMETICCERAMICSURFACEMOUNTPACKAGEFORHIGHRELIABILITYAPPLICATIONS

TTELECTT Electronics.

梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC
1N5711

SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE

DESCRIPTION Metaltosiliconjunctiondiodefeaturinghighbreakdown,lowturn-onvoltageandultrafastswitching.PrimarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationwithbroaddynamicrange. Matchedbatchesareavailableonrequest.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
1N5711

SCHOTTKYBARRIERDIODES

•1N5711-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/444 •1N5712-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/445 •SCHOTTKYBARRIERDIODES •HERMETICALLYSEALED •METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE
1N5711

SCHOTTKYBARRIERSWITCHINGDIODE

Features ●Ultra-FastSwitchingSpeed ●HighReverseBreakdownVoltage ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingJunctionProtection

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
1N5711

SchottkyDiodes

Features •Forgeneralpurposeapplications •Metal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichis protectedbyaPNjunctionguardring.Thelowfor wardvoltagedropandfastswitchingmakeitideal forprotectionofMOSdevices,steering,biasing andcouplingdiodesforfastswit

GE

GE Industrial Company

GE
1N5711

SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications

Description The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcost glasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logorA-Dconv

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

HP

1N5711CSM供应商更多...

更新时间：2024-6-1 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市振宏微科技有限公司
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