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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=27.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,27.4A,19m廓

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2024-5-22 18:48:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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