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35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

Description TheHGTG15N120C3,HGTP15N120C3,HGT1S15N120C3andHGT1S15N120C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartrans

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

Description TheHGTG15N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvaries

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35A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTs

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更新时间:2024-5-24 17:18:01
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专注配单,只做原装进口现货
INTERSIL
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TO-220
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