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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
10N120BND

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG10N120BNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofab

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
10N120BND

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
10N120BN

35A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG10N120BN,HGTP10N120BNandHGT1S10N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

IntersilIntersil Corporation

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10N120BN

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
BRG10N120D

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件：770.08 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

10N120BND供应商更多...

更新时间：2024-4-27 18:25:00
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