AirfastRFPowerLDMOSTransistor

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封装/外壳：1111（2828 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 12PF 500V P90 1111 电容器 陶瓷电容器

封装/外壳：1111（2828 公制） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP CER 12PF 500V P90 1111 电容器 陶瓷电容器

RFPowerFieldEffectTransistor

880MHz,10WAVG.,28VSINGLEN-CDMALATERALN-CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthisdevicemakesitidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplica

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs

Features GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems OptimizedforDohertyApplications InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.

RFPowerLDMOSTransistor

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RFPowerLDMOSTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

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