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06035J5R6BS

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

400--2400MHz,17.5dB33dBmInGaPHBTGPA TheMMG3006NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom400to2400M

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恩智浦恩智浦半导体公司

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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3005NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyprematchedanddesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforappli

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GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule

Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi

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HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312Bisa2-stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorrep

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更新时间：2024-6-6 22:59:00
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