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FXT618中文资料

厂家型号

FXT618

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4

功能描述

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT -

数据手册

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生产厂商

ZETEX

FXT618数据手册规格书PDF详情

FEATURES

* 10A Peak pulse current

* Excellent hFE characteristics up to10A (pulsed)

* Extremely low saturation voltage e.g. 7mV typ.

* IC cont 3.5A

APPLICATIONS

* Power MOSFET gate driver in conjunction with

complementary ZTX718

FXT618产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FXT618

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT -

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-29 18:55:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ZETEX
24+/25+
26000
原装正品现货库存价优
ZETEX
24+
TO92
9600
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50000
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6200
ZETEX
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