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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-1-5 14:51:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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