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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,70-100V)

Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overly contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and

MOSPEC

统懋

Low-Power, Wideband, Closed-Loop Buffer

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国半

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国半

ZTX109B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZTX109B

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT -

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-3 16:12:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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