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ZT281晶体管资料

  • ZT281别名:ZT281三极管、ZT281晶体管、ZT281晶体三极管

  • ZT281生产厂家:美国、法国费兰第有限公司

  • ZT281制作材料:Si-PNP

  • ZT281性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • ZT281封装形式:直插封装

  • ZT281极限工作电压:45V

  • ZT281最大电流允许值:0.5A

  • ZT281最大工作频率:<1MHZ或未知

  • ZT281引脚数:3

  • ZT281最大耗散功率:0.3W

  • ZT281放大倍数

  • ZT281图片代号:D-8

  • ZT281vtest:45

  • ZT281htest:999900

  • ZT281atest:0.5

  • ZT281wtest:0.3

  • ZT281代换 ZT281用什么型号代替:BSV46,BSV47,BSV48,BSW24,2N2906,2N2907,3CK9B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Schottky Barrier Diodes

FEATURES • Integrated protection ring against static    discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance    please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim

POLYFET

1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor

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更新时间:2026-5-18 18:53:02
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