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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJD32CT4

Low voltage PNP power transistor

DESCRIPTION The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and MJD32C form complementary NPN-PNP pairs. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4-A

Low voltage PNP power transistor

Description The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ This device is qualified for automotive application ■ Surface-mounting TO-252 power packa

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4

Complementary Power Transistors

文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4

Complementary Power Transistors

文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4G

Complementary Power Transistors

文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ZMJD32CT4G供应商更多...

更新时间：2025-8-10 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD32CT4-A
ST(意法半导体)
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TO-252
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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ST/意法半导体
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深圳兆威电子有限公司
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MJD32CT4-A
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ZMJD32CT4G规格书下载地址

ZMJD32CT4G参数引脚图相关

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