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SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix) • Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix) • Sur

Motorola

摩托罗拉

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS

DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Complementary Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

Complementary Darlington Power Transistor

文件:136.31 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-17 11:04:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-252
5000
只做原厂渠道 可追溯货源
ON
2025+
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ST意法
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