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N-channel enhancement mode field-effect transistor

Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: PHB160N03T in SOT404 (D2-PAK). Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very low on-state resistance. Applications ■ DC to DC converters ■ Switched-mode po

Philips

飞利浦

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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爱德微

N-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-7 17:10:01
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    ZM33164是下一个三终端卷踏歌监测电路使用微处理器系统。阈值电压的设备已设置为4.3volts5伏电路的理想选择。设备包括一个精确的电压参考和内置一个比较滞后,以防止误操作。 “ZM33164功能集电极开路输出能够沉没至少l0mA需要一个单一的外部电阻以下电路接口。设备的操作是保证从伏向上,从这个层面器件的阈值电压的输出举行低提供上电复位功能。如果电源电压,一旦确立,在任何时间低于阈值水平下降则输出将再次拉低。该装置是在TO92封装通孔应用以及SO8和SOT223封装为表面贴装要求。 特点 · SO8,SOT223和TO92封装 ·上电复位

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