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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G085N03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

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谷峰半导体

GOFORD

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G085N03KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

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谷峰半导体

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description The TFD085N03M uses advanced trench technology to provi de excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Feature VDS =30V , ID =25A RDS(

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG
更新时间:2025-8-6 12:23:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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