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120W,RFPowerGaNHEMT

Description Cree’sCGH40120Fisanunmatched,galliumnitride(GaN)high electronmobilitytransistor(HEMT).TheCGH40120F,operating froma28voltrail,offersageneralpurpose,broadbandsolution toavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaNHEMTsoffer highefficiency,highgainan

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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120W,RFPowerGaNHEMT

Description Wolfspeed’sCGH40120Pisanunmatched,galliumnitride(GaN) highelectronmobilitytransistor(HEMT).TheCGH40120P, operatingfroma28voltrail,offersageneralpurpose,broadband solutiontoavarietyofRFandmicrowaveapplications.GaN HEMTsofferhighefficiency,highga

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

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更新时间:2024-4-24 17:57:01
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Cree
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