ZDT1049TA价格

参考价格:¥4.0067

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
ZDT1049TA

SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER

DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS PARTMARKING DETAIL - T1049

DIODES

美台半导体

ZDT1049TA

封装/外壳:SOT-223-8 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS 2NPN 25V 5A SM8 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

Inst, 4 Pr #18 Str BC, PVC-NYL Ins E1, IS/OS, Blk PVC Jkt, 600V TC-ER 150V NPLF 90C Dry/Wet

Product Description UL Instrumentation, 4 Pair 18AWG (7x26) Bare Copper, PVC-NYL Insulation E1 Color Code, Individual & Overall Beldfoil® Shield, Black PVC Outer Jacket, 600V TC-ER 150V NPLF 90C Dry/Wet SUN RES DIR BUR

BELDEN

百通

Base station LDMOS transistor

DESCRIPTION 125 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 800 MHz to 1000 MHz. FEATURES • Typical performance at a supply voltage of 27 V: – 1-tone CW; IDQ = 1000 mA – Output power = 125 W – Gain = 16.5 dB – Efficiency = 54 – EDGE outpu

Philips

飞利浦

Audio Frequency Amplifier Applications

文件:341.93 Kbytes Page:3 Pages

TOSHIBA

东芝

MINIMIZE POWER LOSSES OF LIGHTLY LOADED FLYBACK

文件:282.5 Kbytes Page:24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

GULLWING CASCADABLE ARJ1049 AMPLIFIER

文件:95.42 Kbytes Page:1 Pages

TELEDYNE

华特力科

ZDT1049TA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZDT1049TA

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Dual 12V NPN HighG

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES
24+
SM-8
5000
全新原装正品,现货销售
DIODES/美台
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双极型晶体管
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