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1N5818W中文资料
1N5818W数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Guarding for overvoltage protection
• Low power loss, high efficiency
• High current capability
• low forward voltage drop
• High surge capability
• For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
1N5818W产品属性
- 类型
描述
- 型号
1N5818W
- 制造商
EIC
- 制造商全称
EIC discrete Semiconductors
- 功能描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES
更新时间：2025-8-2 16:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ |
24+ |
SOD23 |
996000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SOD-123FL |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
晶导微电子 |
22+ |
N/A |
2500 |
进口原装,优势现货 |
|||
JINGDAO/晶导微 |
24+ |
NA/ |
3260 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
CJ/长电 |
2023+ |
SOD-123 |
9865 |
100%原厂代理库存,正品全新现货 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
CJ |
23+ |
SOD-123 |
320 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
晶导微电子 |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
晶导微电子 |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
KEFAN/科范微 |
24+ |
SOD-123FL |
60000 |
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- ES5GBF
- IPP-2170
- IS43LD32160A
- IS43LR16200C-6BLI
- IS46LR16320B-6BLA2
- LFP0400-G2NMB
- LFP1500-G1NMB
- LQG15HH39NG02B
- LQG15HH39NH02B
- LQG15HH5N1C02D
- LQG15HH5N6B02J
- LQG15HH7N5G02J
- LQG15HH7N5H02B
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DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 广东佑风微电子有限公司
中文资料: 10132条
广东佑风微电子有限公司是一家专注于半导体芯片研发设计、封装测试、销售服务于一体的高新科技企业。公司成立于2013年，工厂设立于江苏常州。公司深耕半导体领域多年，始终坚持以产品品质，技术创新为核心，为客户提供高可靠性、高稳定性的二极管、MOSFET、整流桥、三极管、可控硅、碳化硅管、光电器件、模拟IC等系列产品及技术解决方案，以满足客户产品设计选型、产品特殊定制服务需求。公司产品广泛应用于消费类电子、通讯、照明、电源、安防、工控、汽车电子、医疗设备、新能源等诸多领域。 佑风微以客户为中心 以诚信为准则 以效益为导向，致力于成为全球半导体器件研发制造商和一体化综合方案提供商。公司将不断创新，发
