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Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

Schottky Barrier Diode

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Fuji

富士通

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Fuji

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更新时间:2025-10-29 17:40:01
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