型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
YG858C15R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

YG858C15R

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

YG858C15R

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

YG858C15R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG858C15R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-11-21 13:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI
13+
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY/威世
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