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120 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

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WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

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Cree

科锐

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Cree

科锐

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Cree

科锐

更新时间:2025-8-6 15:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
CREE/科锐
23+
MOSFET
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CORNELLDUBILIER-CDE
25+
Bulk
880000
明嘉莱只做原装正品现货
CREE
23+
射频
7000
CREE
638
原装正品
CREE/科锐
2447
20
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
CREE
2023+
N/A
8700
原装现货
Cree/Wolfspeed
22+
9000
原厂渠道,现货配单
Cree
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BGA
19489
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90000
进口原装现货假一罚十价格合理

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