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GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWiMAX,WLL/MMDSorUMTSdriverandfinalapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPer

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GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
更新时间:2024-6-1 20:00:01
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