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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ S

STMICROELECTRONICS

意法半导体

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

DESCRIPTION The SD1729 is a Class AB 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions. ■ OPTIMIZED FOR SSB ■ 30 MHz ■ 28 VOLTS ■ IMD −30 dB ■ COMMON

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Dual Low-Power, 120MHz Op Amp

文件:167.92 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

Dual Low-Power, 120MHz Op Amp

文件:167.92 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

3.0 mm X 7.0 mm Series

文件:32.159 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

更新时间:2026-5-25 10:11:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+
Description
20000
原装
ST
24+
M174
293
现货供应
ST/意法
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST/意法
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
ST
25+
Description
20000
原装
TOSHIBA
23+
M174
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
ST
2511
Description
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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