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XP151A11B0MR

20V 1A N沟道 功率MOS FET

The XP151A11B0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. \n\n Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. \n\n In order to counter static, a gate protect diode is built-in.

TOREX

特瑞仕

XP151A11B0MR

POWER MOS FET

文件:139.77 Kbytes Page:4 Pages

TOREX

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XP151A11B0MR

Power MOSFET

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TOREX

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XP151A11B0MR

Power MOSFET

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XP151A11B0MR

Power MOSFET

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

XP151A11B0MR

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.025369 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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XP151A11B0MR产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装尺寸(㎜):

    2.8 x 2.9 x 1.3

  • 样品订购:

    样品订购

  • 沟道:

    Nch

  • Vdss_(V):

    30

  • Vgss_(V):

    ±20

  • Id_(A):

    1.00

  • Rds(ON)_Vgs=4.5V_Max(Ω):

    0.170

  • Rds(ON)_Vgs=10V_Max(Ω):

    0.120

  • 驱动电压_(V):

    4.5

  • Vgs(off)_Min_(V):

    1.00

  • Vgs(off)_Max_(V):

    3.0

  • Ciss_(pF):

    150.0

  • 分类:

    普通用途

  • Tj_(℃):

    -55 to +150

更新时间:2026-5-18 15:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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