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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

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TI

德州仪器

更新时间:2025-8-8 17:13:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
2022+
TO-220
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
TI
24+
TO-220|3
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