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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

PowerMOSFET

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JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji
更新时间:2024-5-28 9:46:01
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