位置:WND60P20W > WND60P20W详情
WND60P20W中文资料
WND60P20W数据手册规格书PDF详情
General description
Standard reverse recovery power diode in a TO247-2L package.
Features and benefits
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High voltage capability
• High inrush current capability
Applications
• Input rectifier
• Bypass diode
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
OHMITE |
20+ |
电阻器 |
2683 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
1450 |
原装现货 |
||||||
HS |
24+ |
SOP8 |
36000 |
只做全新原装进口现货 |
|||
WNG |
23+ |
SOP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
WND60P20W 资料下载更多...
WND60P20W 芯片相关型号
- 2020-206-000-037
- 2020-206-000-038
- 2020-206-000-039
- 2020-206-143-000
- 622-025-360-510
- 622-025-360-511
- 622-025-360-512
- 622-025-360-513
- 622-025-360-515
- 622-025-360-516
- 622-025-360-530
- 622-025-360-531
- 622-025-360-532
- 622-025-360-533
- 892-016-524-201
- VOL-0300
- VOL-0300BK
- VOL-0712
- VOL-0712B
- VOL-0714
- VOL-0714B
- VOL-0790BL
- VOL-0790GR
- VOL-0790RD
- VOL-0790YL
- WND60P12W-A
- WWNWW2FB10K0
- WWNWW2FBR500
- WWNWW2FT1R00
- WWNWW2FTR500
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
WeEn Semiconductors 瑞能半导体科技股份有限公司
瑞能半导体科技股份有限公司(WeEn Semiconductors)注册于2015年8月5号,运营中心落户上海,全资子公司和分支机构,包括吉林芯片生产基地,香港子公司,上海和英国产品及研发中心,东莞物流中心,以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。 2018年9月,瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业, 可以对包括二极管,三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。 自诞生以来,瑞能已走过逾 50 年辉煌历程。作为全球功率半导体行业的佼佼者,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合,公司主要产品主要包括碳化硅器件,可控硅整流器和晶闸管