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BUJ103AD中文资料

厂家型号

BUJ103AD

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功能描述

Silicon diffused power transistor

两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab)

数据手册

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生产厂商

WEEN

BUJ103AD数据手册规格书PDF详情

General description

High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a SOT428 (D-PAK) surface mounted package.

Features and benefits

■ Low thermal resistance

■ Fast switching

Applications

■ Electronic lighting ballasts

■ DC-to-DC converters

■ Inverters

■ Motor control systems

BUJ103AD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUJ103AD

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-27 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
WEEN
17+
TO-252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
WEEN/瑞能
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