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MRF19085	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF19085	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

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更新时间：2025-12-29 12:00:01

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WR44-M8G4-AE1-MD
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2023-5-11
WRL-11697
WRL-11697
2023-3-28
WRA2405S-3WR2
WRA2405S-3WR2，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-19
WQV35/2魏德米勒端子，深圳现货
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2019-4-2
WS336-5.0-可编程并联稳压器
说明该WS336- 5.05.0V的集成电路是精密分流稳压器。单片集成电路的工作电压基准作为一个低温度系数与0.6ohm5.0V的齐纳动态阻抗。作者：WS336- 5.0第三终端使参考电压和温度系数为修剪容易。 WS336- 5.0是有用的一个精确的5.0V的低电压基准的数字电压表，电源供应器或运放电路。 5.0V的，方便的获取稳定的参考电压由低用品。此外，由于WS336- 5.0运作分流稳压器，它们可以用于无论是作为正或负电压基准。特点 •低温度系数 •保证温度稳定性 •0.
2013-3-13
WS7805-正电压稳压器
特点 3，Termainal稳压器输出电流高达1.5 A的无需外部元件内部过热保护高功率耗散能力内部射击电路电流限制输出晶体管安全区补偿描述这一系列固定电压单片集成电路广泛的设计的稳压器应用。这些应用包括卡上消除噪音和分布的调控与单点调节相关的问题。每个这些稳压器可提供高达至1.5安培输出电流。内部电流限制和热这些稳压器的关断特性使它们基本上不受超载。
2013-1-8