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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 26 Volts,

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

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更新时间:2026-5-25 9:11:01
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