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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-7 17:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/华瑞
2020+
SOT263
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
CET
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TO-263
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CET/華瑞
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