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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

Power MOSFET

文件:1.9873 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-8-5 13:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
CHIPSBANK
24+
SOP28
17860
公司现货库存,支持实单
CET/華瑞
23+
TO-263
122999
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CET
23+
TO-263
12800
公司只有原装 欢迎来电咨询。
CET/華瑞
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET
21+
TO-263
40000
原装现货假一赔十
CET/华瑞
23+24
SOT263
16790
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
CET/華瑞
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品

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