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N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-CHANNELENHANCEMENTMODEULTRAHIGHDENSITYPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEULTRAHIGHDENSITYPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=8.5mΩ ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCETESTED ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■HIGHdV/dtRUGGEDNESS ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCU

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEULTRAHIGHDENSITYPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEULTRAHIGHDENSITYPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.0085Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175oCOPERATINGTEMPERATURE ■HIGHdV/dtRUGGEDNESS ■APPLICATIONORIENTED

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N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-17 9:51:01
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