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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

Discrete Diodes

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

更新时间:2025-8-16 23:01:01
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CET/華瑞
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