型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Typical 1dB bandwidth of 9.65 MHz

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ITF

Integrated Technology Future

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 2110-2170 MHz

文件:223.75 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

W211001JALF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    W211001JALF

  • 功能描述

    线绕电阻器 - 透孔 1K 3watt 5%

  • RoHS

  • 制造商

    Bourns

  • 电阻

    10 Ohms

  • 容差

    5 %

  • 功率额定值

    7 W

  • 温度系数

    200 PPM/C

  • 系列

    FW

  • 端接类型

    Axial

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 155 C

  • 尺寸

    9.5 mm Dia. x 26 mm L

  • 封装

    Ammo

  • 产品

    Power Resistors Wirewound High Energy

更新时间:2025-8-12 9:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
欧美
2023+
品 贴片/插片,品
8700
原装现货
TE
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
NVENTSCHROFF
23+
NA
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
HellermannTyton
22+
3000
原装现货 支持实单
SCHROFF
23+
N/A
78
全新原装正品现货,支持订货
SCHROFF
494
公司优势库存 热卖中!
ERNI
2405+
原厂封装
1038
只做原装优势现货库存 渠道可追溯
NVENTSCHROFF
2022+
NA
5000
只做原装,价格优惠,长期供货。
SCHROFF
21+
N/A
78
原装现货假一赔十
SCHROFF
23+
NA
256
专做原装正品,假一罚百!

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