型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Typical 1dB bandwidth of 9.65 MHz

文件:176.86 Kbytes Page:2 Pages

ITF

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 2110-2170 MHz

文件:223.75 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

文件:58.75 Kbytes Page:1 Pages

E-SWITCH

W211001J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    W211001J

  • 制造商

    TT Electronics/IRC

  • 功能描述

    Wirewound Resistor - Vitreous Enamel

更新时间:2025-11-20 18:19:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NVENT
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
NVENTSCHROFF
23+
NA
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
SCHROFF
23+
NA
256
专做原装正品,假一罚百!
SHERA
24+
84
TE/泰科
2508+
/
275591
一级代理,原装现货
SCHROFF
25+
494
公司优势库存 热卖中!
HellermannTyton
22+
3000
原装现货 支持实单
TE
25
全新原装 货期两周
TE/泰科
23+
NA/原装
82985
代理-优势-原装-正品-现货*期货
NVENTSCHROFF
2022+
NA
5000
只做原装,价格优惠,长期供货。

W211001J数据表相关新闻