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VI30100C-E3SLASH4W中文资料

厂家型号

VI30100C-E3SLASH4W

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功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VI30100C-E3SLASH4W数据手册规格书PDF详情

Ultra Low VF= 0.455 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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