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VI20120C-E3SLASH4W中文资料

厂家型号

VI20120C-E3SLASH4W

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167.06Kbytes

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5

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

LOGO

VI20120C-E3SLASH4W数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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Vishay Siliconix 威世科技半导体

中文资料: 360276条

Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗